사진=한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처[이승준 기자] 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 새너제이에서 열리는 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남긴 것으로 알려졌다.

황 CEO가 "삼성전자의 HBM을 테스트하고 있으며 기대가 크다"고 밝힌 데 이어 차세대 제품을 직접 살펴보면서 업계 안팎에서는 삼성과의 HBM 파트너십 강화에 대한 기대감이 커지고 있다.

21일 업계에 의하면 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 총괄 부사장은 이날 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스를 방문해 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다.

특히 부스에 전시된 HBM3E 12H(High.12단 적층) 제품에 황 CEO가 남긴 사인을 찍은 사진도 함께 올렸다. 황 CEO는 '젠슨 승인(approved)'이라고 적었다.

삼성전자는 이번에 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 HBM3E 실물을 전시했다.

24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다.

삼성전자는 HBM3E를 상반기 양산할 예정이다.

한 부사장은 "삼성의 HBM3E에 대한 황 CEO의 개인 승인 도장을 보게 돼 기쁘다"면서, "삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다"고 말했다.

앞서 황 CEO는 지난 19일(현지시간) 미디어 간담회에서 '삼성의 HBM을 사용하고 있나'라는 질문에 "아직 사용하고 있지 않다"면서도, "현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다"고 언급했다.

황 CEO는 또 "HBM은 매우 복잡하고 어려운 기술이고, 기술적인 기적과도 같다. 그들은 겸손하다"면서 삼성전자와 SK하이닉스를 치켜세우기도 했다.

이 같은 발언에 삼성전자는 20일 유가증권시장에서 전날보다 5.63% 오른 7만6천900원에 장을 마감했다.

이는 지난해 9월 1일(6.13%) 이후 6개월여 만에 가장 큰 상승 폭이다.

경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 전날 주주총회에서 HBM이 한발 늦었다는 지적에 대해 "앞으로 다시는 그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"면서, "12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 것"이라고 밝혔다.